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存储器的终结者---FRAM铁电存储器



   
  FRAM铁电存储器的核心技术是美国Ramtron公司研制的铁
电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存储器
（RAM）和非易失性存储器（EPROM、E2ROM、FLash）的特性。 铁电晶体材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁电晶体
材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定
状态，一个状态存储逻辑中的0，另一个状态存储逻辑中的1。
中心原子在常温下没有电场的作用时停留在此状态达一百年以
上，铁电存储器不需要定时刷新，断电情况下能保存数据不变。
由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器（FRAM）
拥有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。
 
采用先进的铁电材料制造，同时具有SRAM和非
易失存储器的双重优点		   数据采集和记录系统
---与EPROM、EEPROM、FLASH一样掉电数据不丢失    
---与RAM一样的高写入速度。无读写延迟   -测量仪表、医疗仪器、非接触式卡等
---更长的使用寿命（典型值为1010擦写次数）底电压
系列无限次擦写		    
---恶劣环境下数据可靠保存10年以上   存储器参数配置
超低功耗    
---工作电流小，只有其它同系列可直接替代产品功耗
的5%~30%		  
-电子电话薄、影印机、打印机等
---静态功耗低仅有十几个微安    
超强的抗电磁干扰能力   非易失性缓冲记忆
---利用铁电晶体分子结构的特殊性来存储数据    
---不受外界电磁干扰，性能稳定可靠   -ATM、税控机、POS等
全部产品均为工业级，更好的环境适应能力    
---工作温度范围为-40 ~+85    
良好的兼容性    
串行系列完全兼容其他公司同型号产品。可以直接代替    
并行西类引脚排列和其他公司相同容量的SRAM完全
兼容		    
   
 
供应商
型号
待机
电流
写入电流
(100KHz)
写入次数
位元组
写入时间
整个晶片
写满时间
Ramtron
FM24C16
10uA
150uA
1e13
72uS
47mS
Atmel
AT24C16
18uA
3mA
1e6
10mS
1.3S
ST
ST24C16
300uA
2mA
1e6
10mS
1.3S
Microchip
24AA16
100uA
3mA
1e6
10mS
1.3S
Xicor
X24C16
150uA
3mA
1e6
10mS
1.3S
型号
容量
封装形式
最大总
线速度
接口方式
工作电压
可替代生产相
同型号的厂商
技术资料下载
4Kbit
8S, 8P
400KHz
2-wire
5V

ATMEL (AT)、
MICROCHIP、
ST、

HYUNDAI (HY)、

SAMSUNG、

EXEL (EL)、

CSI (CAT)、

XICOR (X)、
4Kbit
8S, 8P
400KHz
2-wire
2.7~3.6V
16Kbit
8S, 8P
400KHz
2-wire
5V
16Kbit
8S
1MHz
2-wire
2.7  3.6V
64Kbit
8S, 8P
1MHz
2-wire
5V
64Kbit
8S
1MHz
2-wire
2.7  3.6V
256Kbit
8S
1MHz
2-wire
5V
256KBIT
8SE
1MHZ
2-wire
5V
4KBIT
14S
1MHZ
2-wire
2.7~5V
16KBIT
14S
1MHZ
2-wire
2.7~5V
64Kbit
14S
1MHZ
2-wire
2.7~5V
256Kbit
14S
1MHZ
2-wire
2.7~5V
4Kbit
8S, 8P
2.1MHz
SPI
5V
16Kbit
8S, 8P
5MHz
SPI
5V
64Kbit
8S, 8P
5MHz
SPI
5V
64Kbit
8S
20MHz
SPI
2.7  3.6V
             
   
型号
容量
封装形式
存取时间
代替产品型号
工作电压
技术资料下载
8Kx8
28S, 28P
120nS
DS1230 DS1330
5V
32Kx8
28S, 28P
70nS
DS1230 DS1330 M48Z35
5V
32Kx8
28S, 28P
70nS
DS1230W
DCM0256LU
2.7  3.6V

32Kx8

内置实时时钟（RTC）
电源监控，(RST)
看门狗、记时器
(Watchdong Timer)
32TSOP
70nS
DS1286 DS1386 DS1685 DS1687 DS17285 DS17287 DS17485 DS17487 DS17885 DS17887
5V
32K*8
32T
70ns
5V

 

 
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 最后更新时间 : 2004-09-28